日立IM4000Plus 离子研磨仪

产品描述：
IM4000PLUS是支持断面研磨和平面研磨（Flat Milling®*1）的混合式离子研磨仪器。借此，可以用于适用于各种诸如对样品内部结构观察和各类分析等，制备样品所设计。
高通量的断面研磨
配备断面研磨能力达到500 µm/h*2以上的高效率离子枪。因此，即使是硬质材料，也可以高效地制备出断面样品。
在加速电压6 kV下，将Si从遮挡板边缘伸出100 µm并加工1小时时的最大深度。
断面研磨
即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所构成的复合材料，也可以制备出平滑的断面样品。
优化加工条件，减轻损伤
可装载最大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的样品
断面研磨的主要用途：制备金属以及复合材料、高分子材料等各种样品的断面；制备用于分析开裂和空洞等缺陷的断面；制备评价、观察和分析所用的沉积层界面以及结晶状态的断面。

平面研磨（Flat Milling®）
均匀加工成直径约为5mm的范围
可运用于符合其目的的广泛领域
最大可装载直径50 mm × 厚度25 mm的样品
可选择旋转和摆动（±60度～±90度的翻转）2种加工方法
平面研磨（Flat Milling®）的主要用途：去除机械研磨中难以消除的细小划痕和形变；去除样品的表层；消除FIB加工的损伤。
断面研磨
如果是大约500 µm的角型的陶瓷电容器，则可以3小时内制备出平滑的断面。

样品：陶瓷电容器

 

 

 

 

 

 

 

 

这是通过锂电池正极材料，断面研磨获得平滑截面的应用实例。
在SEM上观察到的具有特殊对比度的部位，从SSRM（Scanning Spread Resistance Microscopy）图像来看，考虑为电阻低的部位。

样品：锂离子电池正极材料 样品制备方法：断面研磨

平面研磨（Flat Milling）
因老化等变得脏污的观察面、分析面，通过平面研磨，也可以获得清晰的通道对比度图像和EBSD模式。

样品：铜垫片