扫描电镜样品的横截面制备方法

横截面的样品制备可以使用各种仪器和方法进行，并且该过程需要不同的设备设置，具体取决于自动化水平。对于IC器件的简单SEM横截面的制备，在既定实践中基本上有两种方法是可能的：镶嵌横截面和未镶嵌横截面。

镶嵌截面
封装横截面方法首先将横截面样品放置到环氧树脂或丙烯酸模塑料中，通常直径约为1英寸，并围绕所选设备，以确保样品更易于处理。

然后将模具研磨并抛光，直到横截面完成。通常，该过程需要120至1200粒度的碳化硅研磨纸，并最终使用0.05μm胶体二氧化硅施用于抛光布进行最终抛光。

非镶嵌横截面
未镶嵌的横截面直接在所需的IC器件上执行。将样品切成适当的比例（通常约为3 x 5mm）并固定在各种支架上。随后使用 30 μm – 0.5 μm 的金刚石研磨膜对样品进行抛光，最终用 0.05 μm 胶体二氧化硅对抛光布进行最终抛光。

设备配置必须有所不同，以便能够实施任何一种方法。每种技术都需要各种磨抛机抛将样品研磨和抛光到扫描电子显微镜检查所需的适当表面光洁度。

在每种情况下，样品还需要在夹具或夹具的帮助下进行固定，以确保适当的抛光平面和材料的准确提取。下面展示了用于将样品固定到磨抛机上进行处理的机制的简单照明。